- HBM 누적 매출, 2024년까지 100억달러 중반 될 것
- HBM4 양산은 기존계획보다 앞당긴 2025년 말 예정
- D램 생산기지 M15X, 본격 양산은 2026년 3Q부터
- 인디애나 Adv 패키징 기지, 2028년 말부터 양산돌입
SK하이닉스가 M15X를 D램 생산기지로 최종 결정했다. <이미지=SK하이닉스>
SK하이닉스가 올해에 이어 내년
고대역폭메모리(HBM) 생산분도 대부분 솔드아웃 됐다고 밝혔다. 업계에 퍼지고 있는 HBM 공급 과잉 우려에 대해, HBM3E
시장에서도 SK하이닉스의 시장 지배력이 공고하고 HBM 수요 강세가 지속되고 있다고 밝힌 것이다.
SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주, 용인, 미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 소개했다.
곽노정
SK하이닉스 사장은 먼저 "HBM 생산 측면에서 저희 제품은 올해 이미 솔드아웃이지만, 내년에도 대부분 솔드아웃됐다"며 "기술
측면에서는 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 HBM3E 12단 제품을 5월에 샘플 제공하고, 3분기에 양산 가능하도록 준비
중"이라고 말했다. 이어 "HBM 누적 매출이 2024년까지 100억달러 중반이 될 것"이라고 전망했다.
곽 사장은
업계에 퍼지고 있는 과잉 공급 우려에 대해 "HBM 시장이 (기존 메모리 등) 범용제품(커모디티)와 다른 성격이 있어, 고객의
수요를 바탕으로 투자를 집행하는 경향이 강하다"며 "이를 통해 과잉 투자를 억제할 수 있다"고 자신했다.
SK하이닉스는
증가하고 있는 HBM 수요에 대응하기 위해 생산능력(CAPA) 확충도 진행 중이다. 청주 M15에 실리콘관통전극(TSV) 라인
셋업을 진행 중이며, 신규 팹인 M15X에는 20조를 투자해 차세대 D램을 생산할 예정이다. SK하이닉스가 M15 TSV 라인
등을 고려해 M15X D램 생산을 결정했다고 한 만큼, M15X에서 생산된 D램은 차세대 HBM 생산에 쓰일 것으로 보인다.
출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(http://www.thelec.kr)
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